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场效应管的基本放大电路

场效应管的基本放大电路

场效应管和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。
场效应管的特性

场效应管的特性

晶体管是电流控制器件，作放大器件用时，发射结必须正偏。场效应管是电压控制器件，N沟道结型场效应管工作时G、S间必须加反向偏置电压。
线性光耦与非线性光耦的区别

线性光耦与非线性光耦的区别

开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
可控硅击穿原因分析

可控硅击穿原因分析

其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。
可控硅XB5560S参数详解手册

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可控硅XB5560S可应用于直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等。
可控硅XB7560S参数详解手册

可控硅XB7560S参数详解手册

可控硅XB7560S可应用于 直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等。
可控硅XB4060S参数详解手册

可控硅XB4060S参数详解手册

可控硅XB4060S可应用于直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等 。
光耦TD1018（T1）-G参数详解手册

光耦TD1018（T1）-G参数详解手册

光耦TD1018（T1）-G可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等。
光耦TD356C（T1）-G参数详解手册

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光耦TD356C（T1）-G可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等。

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